글을 작성하기 전, 11월 25자 IT 뉴에는


삼성 갤럭시S8 홈버튼 삭제 예정 소식

퀄컴 스냅드래곤 835(MSM8998) X16 모뎀 탑재 소식

미디어텍 Helio P35 데카코어 프로세서 개발중 소식

오포 파인드 9(OPPO Find 9) 퀄컴 스냅드래곤 835 탑재 소식

샤오미 미5c(코드네임 Meri) 자체 개발 옥타코어 프로세서 탑재 소식


의 소식들이 다뤄짐을 미리 밝히며, 보고 싶으신 글은 Ctrl + F로 검색하셔서 보시면 됩니다. 감사합니다.


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1. 삼성 갤럭시S8 홈버튼 삭제 예정 

삼성이 2017년 2월 MWC2017을 통해 발표할 차세대 플래그쉽 스마트폰 갤럭시S8(코드네임 Dream)가 5.1인치 / 5.5인치 모델로 나뉘어 개발중인 것으로 알려진 가운데, 갤럭시S8에서는 홈버튼이 사라질 예정인 것이 중국을 통해 유출됐다.


유출된 정보에 의하면 갤럭시S8는 물리 홈버튼이 사라지는 대신 동일한 크기에 더욱 큰 디스플레이를 탑재할 수 있을 것으로 보이며, 이와 함께 갤럭시S8에서는 최대 256GB 내장스토리지를 지원할 것으로 확인됐다.

2월 26일 삼성 갤럭시 언팩(Samsung Galaxy Unpacked)를 통해 발표될 갤럭시S8은 플랫 없이 엣지 단일 모델로 전작에 비해 50% 이상 개선된 5.1인치 QHD / 5.5인치 UHD 또는 QHD 디스플레이 라인업으로 출시될 것으로 알려졌으며, 엣지 디스플레이를 탑재해 부피가 줄어들어 실제 크기는 4.7인치 / 5.2인치 수준이 될 것으로 확인됐다. (최근 소스에 의하면 베젤리스와 물리 버튼 제거의 영향으로 5.7인치 / 6.2인치 모델이 준비중이라는 이야기도 존재)


이러한 갤럭시S8은 그동안 유출된 정보에 의하면 갤럭시S8은 갤럭시노트7에 사용된 것과 동일한 홍채인식센서와 새로운 800만화소 전면카메라, 5.1인치 싱글 후면카메라 / 5.5인치 엣지 모델의 경우에만 삼성전기가 개발한 S5K2L2 카메라 센서가 메인 / 소니 센서 혼용의 1200만화소+1300만화소 후면카메라를 탑재한 것으로 확인됐다.


또, 갤럭시S8은 가변 4K UHD 또는 QHD 디스플레이와 4GB 또는 6GB 램을 탑재하는 것으로 확인됐으며, 루머로는 강화유리 패널 아래 레이어에 지문인식센서를 탑재해 물리버튼 없이 디스플레이를 터치하는 것만으로도 지문인식이 가능하도록 3세대 내추럴 ID 글래스(tm FS4500 모듈)을 탑재한다는 루머도 있다.


소재와 번인 부분에서 대폭 개선된 아몰레드 디스플레이인 셀비아 프로젝트의 경우에는 수율과 단가 문제로 미정인 상태로 확인됐으며, 최근에는 이스라엘과 독일에서 바디 부분에 사용할 신소재를 납품받은 것으로 알려졌다. 갤럭시S8은 갤럭시 A8 2016과 동일한 형태의 측면 듀얼 스피커가 탑재될 것으로 알려졌다.


이러한 갤럭시S8은 새로운 디자인과 기존과 동일한 10nm FinFET 공정으로 제조돼 발열 및 소비 전력이 대폭 감소한 엑시노스 8895 옥타코어 프로세서, Mali-G71MP16 GPU, 지역에 따라 퀄컴 스냅드래곤 835 + Adreno 540 GPU를 사용할 것으로 알려졌다.


2. 퀄컴 스냅드래곤 835(MSM8998) X16 모뎀 탑재 

퀄컴의 차세대 플래그쉽 프로세서와 차세대 미드레인지 프로세서인 퀄컴 스냅드래곤 835(MSM8998)가 퀄컴 스냅드래곤 X16 모뎀을 탑재한 것 확인됐다.


퀄컴 스냅드래곤 X16 모뎀은 다운로드 최대 1Gbps / 업로드 최대 150Mbps를 지원하는 LTE Cat.16(LTE Advanced Pro)을 지원하는 멀티모드 LTE 모뎀으로, 256-QAM, 4x20 MHz의 다운링크 CA와 64-QAM, 2x20 MHz 업링크 CA를 지원하는 것이 특징이다.

삼성의 10nm FinFET 공정으로 제조돼 개선된 Kryo 200 코어를 사용한 것이 특징인 퀄컴 스냅드래곤 835는 듀얼클러스터(big.LITTLE)로 구성된 옥타코어 프로세서인 것으로 확인됐으며, Adreno 540을 GPU로 사용하는 것과 최대 1866MHz 4x LPDDR4X 램, UFS 2.1 내장스토리지를 탑재한 채 2017년 1분기 출시될 것으로 알려졌다.


3. 미디어텍 Helio P35 데카코어 프로세서 개발중 

미디어텍(MediaTek)이 차세대 미드레인지 프로세서인 미디어텍 Helio P35 데카코어 프로세서를 개발중인 것이 확인됐다.


유출된 정보에 의하면 미디어텍 Helio P35 데카코어 프로세서는 10nm FinFET 공정으로 제조돼 발열과 전력 소모는 감소했지만 성능은 대폭 상승한 것이 특징으로, Cortex-A72 2.2GHz x 2 + Cortex-A53 2.0GHz x 4 + Cortex-A35 1.8GHz x 4로 구성된 트라이클러스터(big.Middle.LITTLE) 구조의 데카코어 프로세서로 확인됐다.


또한 미디어텍 Helio P35는 ARM Mali-G71MP3를 GPU로 사용하며, UFS 2.1 스토리지와 2 x LPDDR4x 메모리, LTE Cat.10, 고속충전 기술 Pump Express 3.0을 지원한 채 2017년 3분기 중 출시할 예정이다.


4. 오포 파인드 9(OPPO Find 9) 퀄컴 스냅드래곤 835 탑재 

오포(OPPO)가 2017년 출시할 차세대 플래그쉽 스마트폰 오포 파인드 9(OPPO Find 9)카 퀄컴 스냅드래곤 835를 탑재할 것이 중국을 통해 확인됐다.


유출된 정보에 의하면 오포 파인드 9는 10nm FinFET 공정으로 제조돼 개선된 Kryo 200 코어를 사용한 것이 특징인 듀얼클러스터(big.LITTLE)로 구조의 퀄컴 스냅드래곤 835 옥타코어 프로세서를 탑재할 것으로 확인됐다.


퀄컴 스냅드래곤 835는 Adreno 540을 GPU로 사용하는 것과 최대 1866MHz 4x LPDDR4X 램, UFS 2.1 내장스토리지, LTE Cat.16(LTE Advanced Pro)를 지원하는 것이 특징으로, 이러한 오포 파인드 9는 5.5인치 QHD 아몰레드 디스플레이와 퀵 차지 4.0에 버금가는 VOOC 고속 충전 기능을 탑재한 것으로 알려졌다.


5. 샤오미 미5c(코드네임 Meri) 자체 개발 옥타코어 프로세서 탑재

샤오미가 올해 하반기 중 발표할 차세대 미드레인지 스마트폰 미5c(코드네임 Meri)이 자체 개발 옥타코어 프로세서를 탑재할 에정인 것이 중국을 통해 확인됐다.


유출된 정보에 의하면 샤오미 미5c는 샤오미 산하 기업인 Beijing Pinecore Electronics에서 개발된 Cortex-A53 기반의 2.2GHz 옥타코어 프로세서를 탑재할 것으로 확인됐으며, 그 외에도 5.5인치 Full HD 디스플레이와 3GB 램, 64GB 내장스토리지 등을 탑재할 예정인 것이 확인됐다.

샤오미 미5c는 빠르면 11월 30일 프레스 이벤트를 통해 발표될 것으로 알려졌으며, 999위안, 한화 약 17만원에 판매될 것이 확인된 미5c(Mi5c)의 유출된 주요 스펙은 다음과 같다.


5.5인치 Full HD 디스플레이 (1920x1080, 2.5D 글래스)

자체 생산 2.2GHz 옥타코어 프로세서

Mali-T860 GPU

3GB 램

32GB / 64GB 내장스토리지

800만화소 전면카메라 / 1200만화소 후면카메라

미 페이 / NFC

안드로이드 6.0 마쉬멜로우 with MIUI 8


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